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IPI028N08N3G

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IPI028N08N3G 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

Infineon

2023+

20850

原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證

深圳市同亨電子有限公司..

電話：18922857317
聯(lián)系人：洪小姐

IPI028N08N3GHKSA1

Infineon Techn..

PG-TO262-3

2023+

500

全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號(hào))
聯(lián)系人：洪小姐

IPI028N08N3G

InfineonTechno..

TO-262-3，，Is..

2023+

1250

全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市科錦電子有限公司

電話：18923786596
聯(lián)系人：肖小姐

IPI028N08N3G

Infineon

TO-262

2023+

46278

全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,保證質(zhì)量

深圳市邁特新科技有限公司

電話：18922857317
聯(lián)系人：李先生

IPI028N08N3G

英飛凌

TO-262

2023+

3500

低價(jià)格.高品質(zhì).服務(wù)好.現(xiàn)..

相關(guān)型號(hào)： IPI028N08N3 G IPI024N06N3 G IPI023NE7N3 G IPI020N06N IPH-21-0001 IPGHF666-32689-30

IPI028N08N3 G
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IPI028N08N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：80V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：100A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：2.8毫歐@100A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3.5V@270µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：206nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：14200pF@40V
功率-最大值：300W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3

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